1. 

   Deutsche Erfindung soll MRAM deutlich schneller machen

   PTB

   Die Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) hat sich ein Patent für den Schreibvorgang bei MRAMs gesichert. Damit sollen die magnetischen Ladungen so schnell wie bei DRAMs geschrieben werden können. (10.03.2011, 12:01)

2. 

   Samsung beginnt Serienfertigung von PRAM für Handys

   Noch im zweiten Quartal 2010 will Samsung Bausteine für Handys ausliefern, die mit PRAM ausgestattet sind. Der seit Jahren als möglicher Flash-Nachfolger gehandelte Speichertyp kam bisher nicht richtig in Schwung, Samsung traut ihm nun die Anwendung in Handys zu. (28.04.2010, 18:05)

3. 

   HP will Flash-Nachfolger Memristor in Serie fertigen

   Hewlett-Packard forscht weiter am Memristor, einem der möglichen Nachfolger von Flash-Speichern. Inzwischen sollen die Bauelemente auch Rechenfunktionen beherrschen, einen Fertigungsprozess für die Herstellung mit Mitteln der Halbleitertechnik gibt es ebenfalls. (08.04.2010, 19:54)

4. NECs Flash-Alternative MRAM erreicht 400 MHz

   Trotz zahlreicher Konkurrenz bei der Entwicklung von Universalspeichern, die die Vorteile von DRAM und Flash vereinen sollen, forscht NEC weiter an seinem "Magnetoresistive Random Access Memory", kurz MRAM. Inzwischen gibt es Fortschritte und eine neue Positionierung: MRAM soll in SoCs für Unterhaltungselektronik Platz finden. (28.07.2009, 12:10)

5. 

   Streik legt Joint Venture von Infineon und IBM lahm

   Seit 15. Juni 2009 sind die Beschäftigten bei Altis Semiconductor, einem Joint Venture von Infineon und IBM, im unbefristeten Streik. Bei dem Verkauf des Werkes im französischen Corbeil-Essonnes drohen 400 Arbeitsplätze verloren zu gehen. (16.06.2009, 11:46)

6. 

   Start-up verspricht Flashnachfolger mit weniger Transistoren

   Gleich drei Wünsche auf einmal will das seit Jahren mit Millionen aufgebaute US-Unternehmen "Unity Semiconductor" erfüllen: Sein neuer Speichertyp namens "CMOx" soll schneller als NAND-Flash, aber noch günstiger herzustellen und viel langlebiger sein. Zu den Unterstützern gehört auch ein mysteriöser Festplattenhersteller. (19.05.2009, 19:41)

7. Freescale lagert sein MRAM-Geschäft aus

   Freescale Semiconductor, ehemals Teil des Motorola-Konzerns, konzentriert seine MRAM-Aktivitäten in einem neuen Unternehmen. Die Ausgründung EverSpin Technologies erhält im ersten Schwung 20 Millionen US-Dollar von Venture-Capital-Gebern. (09.06.2008, 18:08)

8. Toshiba baut MRAM mit Perpendicular-Recording

   Toshiba vermeldet wesentliche Fortschritte bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM), das als potenzieller Nachfolger für DRAM und Flash-Speicher gehandelt wird. Anstelle einer elektrischen Speicherung wie bei DRAM und SRAM tritt bei MRAM eine magnetische Speicherung, ähnlich wie bei Festplatten. Die Technik verspricht hohe Speicherdichte und -geschwindigkeit bei geringem Stromverbrauch und hält ihre Daten auch ohne Stromzufuhr. (07.11.2007, 08:45)

9. 

   Racetrack Memory - IBM erforscht Universalspeicher

   Im kalifornischen Almaden, unweit San Francisco im Silicon Valley, arbeitet ein bekannter IBM-Forscher an einer neuen Speichertechnologie namens "Racetrack Memory". Die Speicherung von Informationen erfolgt dabei immer noch magnetisch, aber in einer dreidimensionalen Halbleiterstruktur. Im Ergebnis sollen sich die Vorteile von Flash-Speichern und Festplatten vereinen. (12.09.2007, 17:45)

10. IBM und TDK wollen gemeinsam an MRAM forschen

    IBM und TDK wollen gemeinsam MRAM (Magnetic Random Access Memory) mit hoher Kapazität entwickeln. Dabei handelt es sich um eine Alternative zu Flash-Speicher und statischen RAMs. Gegenüber Flash sollen MRAMs nahezu unbegrenzt wiederbeschreibbar sein und wesentlich länger halten. Dabei setzen IBM und TDK auf einen neuen Ansatz, der höhere Speicherdichten erlauben soll als bisherige MRAM-Umsetzungen. (20.08.2007, 09:56)

[nächste Seite]